台积电3nm制程工艺有望本月量产 明年产能将平稳提升

7月24日消息，据国外媒体报道，三星电子6月30日就已在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，上周也有外媒报道称，三星电子采用3nm工艺代工的首批芯片，已定于7月25日出货。

 >       而外媒在报道中表示，台积电采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构的3nm制程工艺，将在本月或之后量产，采用全环绕栅极晶体管架构的制程工艺，将在2025年量产。

如果台积电的3nm制程工艺，真如外媒报道的那样在本月开始量产，他们在这一工艺的量产时间方面，就只会略晚于三星，他们重要客户即将推出的硬件产品，也就有望搭载3nm制程工艺代工的芯片。
       对于3nm制程工艺的量产事宜，台积电CEO魏哲家在本月14日的二季度财报分析师电话会议上，也曾提及。魏哲家当时在会上表示，他们在按计划推进3nm制程工艺，以可观的良品率在下半年量产。
       在此前的财报分析师电话会议上，魏哲家曾多次谈到，同5nm工艺相比，3nm工艺能使晶体管的逻辑密度提升70%，芯片的性能提升15%，能耗降低30%。
       在本月14日的财报分析师电话会议上，魏哲家还透露，他们预计3nm工艺在明年上半年开始带来营收，在高性能计算产品和智能手机应用产品的推动下，产能在2023年也将平稳提升。